Meios de armazenamento com componentes magnéticos não são novidade na informática. Já há muito tempo que os discos-rígidos utilizam essa tecnologia para realizar operações de leitura e escrita. Entretanto, físicos e engenheiros alemães tentaram uma abordagem diferente para esse conceito, apresentando um protótipo de RAM que alcança máxima velocidade nesse processo — maior que a das memórias atualmente disponíveis.
Conhecida como MRAM — Magnetoresistive Random Access Memory, ou memória de acesso aleatório magneto-resistiva, em uma tradução arriscada —, a tecnologia divulgada recentemente poderá ser mais rápida e eficiente do que a das memórias atuais, aproveitando seu baixo consumo e a facilidade de mudar rapidamente o estado de cada bit armazenado.
A MRAM é composta por células MTJ (Magnetic Tunneling Junction), compostas por vários níveis de elementos ferromagnéticos, que juntos trabalham como um resistor. A iteração desses componentes com um pequeno campo elétrico determina o nível de resistividade, conseqüentemente possibilitando ou não a passagem do pulso elétrico (estado “0″ ou “1″) para o armazenamento. Esta iteração consiste no alinhamento dos spins das diversas camadas da célula, definido pelo conjunto de bits que passa pelo barramento, de acordo com a interpretação polar (norte ou sul magnético) de cada unidade mínima da memória.
A pesquisa de Santiago Serrano-Guisan e Hans Schumacher busca encontrar maneiras de realizar essas operações no menor tempo possível, que até agora é de 10 nanossegundos para cada operação, o que seria três vezes mais rápido que uma RAM normal. O próximo passo seria avançar a tecnologia para adaptá-la aos padrões compatíveis com os circuitos CMOS.
Atualização (15/08/2008 às 14:30): com a colaboração do leitor suportador (obrigado!), fiz algumas mudanças no parágrafo intermediário, utilizando seu texto sugerido.
bernard
15/08/2008 às 12:27
Tai o que eu gosto do MAcmagazine! Sempre notícias interessantes sobre tecnologia sem ficar ufanísticamente olhando para nosso próprio mac-umbigo!!!! Continuem assim!!!
Usando oFilipe Souza Mendes Guimarães
15/08/2008 às 12:39
“magnetoresistiva” é um termo da física, melhor que “magneticamente resistiva”
Usando orwwr
15/08/2008 às 12:40
magnetoresistiva (x2)
Usando osuportador
15/08/2008 às 12:46
Magnetoresistive = magnetoresistiva… rs bem arriscada mesmo.
Usando oA célula de uma MRAM é composta por vários níves de elementos ferromagnéticos, que juntos trabalham como um resistore. Dai o nome magnetoRESISTIVA. A iteração desses componentes com um pequeno campo elétrico determina o estado “0″ ou “1″, que será armazenado por um par de MTJ. E por ai vai…
Fernando Porteiro Jesus
15/08/2008 às 12:53
opa, obrigado pessoal!
Usando opelas regras da gramática, esse magnetoresistiva teria que ganhar um segundo R se a palavra for uma coisa só. Posso botar com hífen?
Confesso que não conheço o termo. Obrigado.
suportador
15/08/2008 às 12:59
Pelo amor de Deus…
(…) Utilizando o conceito de spin do elétron, cada dado teria seu spin modificado através de um campo magnético, de acordo com o dado gravado (…)
Impossível de entender.
Usando oAcessem:
http://www.ece.uidaho.edu/ee/d....._works.htm
Em inglês, porém bem explicado.
Vamos revisar o que é escrito aqui.. ou pelo menos, estudar antes de escrever qq coisa.
suportador
15/08/2008 às 13:04
Já vi escrito com R e com RR, agora gramática não é a minha praia.
Usando oFernando Porteiro Jesus
15/08/2008 às 13:27
Bom, meu objetivo não é dar aula de Química. Isso iria pedir um post com o triplo de tamanho. Como você sugere que tenha que ficar o parágrafo? Em português?
pegar os textos em inglês e mandar pra cá é fácil hehehe…
Usando orwwr
15/08/2008 às 13:39
seria uma aula de física…
Usando osuportador
15/08/2008 às 14:10
vamos la… dado nao tem spin. elétron tem spin. conjunto de bits formam um dado. bits são pulsos elétricos. pulsos elétricos são formados por elétrons. elétrons tem spin. Olha que legal.
Usando o(…) Conhecida como MRAM — Magnetoresistive Random Access Memory, ou memória de acesso aleatório magneto-resistiva, em uma tradução arriscada — , a tecnologia divulgada recentemente poderá ser mais rápida e eficiente que a das memórias atuais, aproveitando seu baixo consumo e a facilidade de mudar rapidamente o estado de cada bit armazenado.
Agora vou eu:
A MRAM é composta por células MTJ (Magnetic Tunneling Junction) que por sua vez, são compostas por vários níveis de elementos ferromagnéticos, que juntos trabalham como um resistor. A iteração desses componentes com um pequeno campo elétrico determina o nível de resistividade, conseqüentemente possibilitando ou não a passagem do pulso elétrico (estado “0″ ou “1″) para o armazenamento. Esta iteração consiste no alinhamento dos spins das diversas camadas da célula (e não do dado), definidos pelo trem de bits, que passa pelo barramento.
Não precisa de aula de química, física ou engenharia pra explicar. Simples assim.
Fernando Porteiro Jesus
15/08/2008 às 14:11
@rwwr
http://www2.iq.ufrj.br/fq/discip.html
buscar por “spin”…
fis-qui ainda está dentro da Química, no ensino médio. Claro que o assunto se mistura com Física Quântica também, mas o objetivo do post não é definir a que matéria pertence o termo.
@suportador
show de bola! Vou atualizar o post com as informações que você passou. Obrigado!
Usando oFernando Porteiro Jesus
15/08/2008 às 14:16
ainda @suportador: dado realmente não tem spin, dado é bit, bit é eletricidade, eletricidade tem elétron, e elétron tem spin. Disso eu já sei.
Enquanto à explicação… acho que ainda não está perfeita. Mas vou atualizar agora e aguardo as opiniões!
Usando oLuiz Augusto
15/08/2008 às 15:36
só pra reforçar, no ensino médio, se aprende regra de hund, orbitais eletrônicos, spin, hibridização etc em química
Usando oGondoMon
15/08/2008 às 20:09
Pata q pareu! Pq vcs ao invés de ficar com esse papinho de corredor e colégio não aproveitam a máteria? Caraca, que povo mais mala.
@suportador: cara, enche a fuça de cerveja e vê se consegue diferenciar 0 do 1, q cacete de agulha!
Usando o